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    • 专利摘要:
    一過濾器使用在一目標材料供應裝置且包括具有一第一平坦表面及一第二相對平坦表面之一片材，及多數貫穿孔。該第一平坦表面係與一容器流體連通，且該容器收容一目標混合物，並且該目標混合物包括一目標材料及多數非目標粒子。該等貫穿孔由該第二平坦表面延伸且在該第二平坦表面與一噴嘴之一口部流體地耦合。該片材具有一暴露於該目標混合物之表面積，且該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，並且該燒結過濾器具有一與該片材之橫向範圍相等之橫向範圍。
    公开号:TW201304850A
    申请号:TW101110362
    申请日:2012-03-26
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Igor V Fomenkov；William N Partlo；Georgiy O Vaschenko；William Oldham
    申请人:Cymer Inc；
    IPC主号:B01D29-00
    专利说明:
    材料供應裝置之過濾器相關申請案之交互參照
    本申請案主張2011年5月20日申請，名稱為“材料供應裝置之過濾器”，且代理人檔號002-045001/2010-0031-01之美國專利申請案第13/112,784號，且其全部內容在此加入作為參考。 發明領域
    揭露之標的物係有關於一種供一目標材料供應裝置使用之過濾器。 發明背景
    超紫外線(“EUV”)光，例如，具有等於或小於50nm左右之波長(有時亦被稱為軟x光)，且包括在一大約13nm之波長之光的電磁輻射，可被使用在光刻法中以在，例如，矽晶圓之基材中製造極小特徵。
    製造超紫外線光之方法包括，但不一定限於，以在該超紫外線範圍內之放射線將一材料轉變成具有，例如，氙、鋰、或錫之一元素的電漿狀態。在一經常被稱為雷射引發電漿(“LPP”)之此種方法中，所需之電漿可藉由以可被稱為一驅動雷射之一放大光束照射，例如，呈一材料之液滴、流、或團形態之一目標材料。對這程序而言，該電漿通常係在一密封容器，例如，一真空室中產生，且使用各種計量設備監測。 概要
    在某些一般態樣中，一種裝置將一目標材料至一目標位置。該裝置包括：一容器，其收容一目標混合物，且該目標混合物包括該目標材料及多數非目標粒子；一第一過濾器，且該目標混合物通過該第一過濾器；一第二過濾器，且該目標混合物通過該第二過濾器；及一供應系統，其接收已通過該等第一與第二過濾器之該目標混合物且將該目標混合物供應至該目標位置。該第二過濾器包括一組具有均一尺寸之橫截面寬度之貫穿孔且具有一暴露於該目標混合物之表面積，並且該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，且該燒結過濾器具有一與該第二過濾器之橫向範圍相等之橫向範圍。
    實施例可包括一或多個以下特徵。例如，該第二過濾器可接收已通過該第一過濾器之該目標混合物。或者，該第一過濾器可接收已通過該第二過濾器之該目標混合物。
    該第二過濾器可包括具有一橫向尺寸之另一組均一尺寸貫穿孔，且該另一組均一尺寸貫穿孔之橫向尺寸與該組均一尺寸貫穿孔之一橫向尺寸不同。
    該第一過濾器可選自於由燒結過濾器及篩網過濾器構成之群組。
    該第一過濾器亦可包括一組具有均一尺寸之橫截面寬度的貫穿孔且可具有一暴露於該目標混合物之表面積，並且該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，且該燒結過濾器具有一與該第二過濾器之橫向範圍相等之橫向範圍。該第一過濾器組之貫穿孔之橫截面寬度可與該第二過濾器組之貫穿孔之橫截面寬度不同。
    該第二過濾器可沿一縱方向具有一厚度，且該厚度係大到足以承受橫過該第二過濾器之壓力差。
    在該第二過濾器之該組貫穿孔中之各孔可具有一小於10μm之橫截面寬度。在該第二過濾器之該組貫穿孔中之各孔之橫截面寬度可相對在該第二過濾器之該組貫穿孔中之各其他孔之橫截面寬度變化不大於20%。
    該供應系統可包括界定一口部之一噴嘴，且該目標混合物通過該口部。該噴嘴可向該目標位置導引該目標混合物通過該口部。在該第二過濾器之該組貫穿孔中之各孔之橫截面寬度可小於該噴嘴口部之一橫截面寬度。該供應系統可組配成產生多數滴之該目標材料。
    該等第一與第二過濾器之至少一過濾器可至少部份地由鎢，鈦，鉬，鎳，鉭，或其他金屬，石英，玻璃，或陶瓷材料構成。
    在該第二過濾器中之該組貫穿孔的尺寸可作成可阻擋至少某些該等非目標粒子。
    該目標混合物可為一流體。該流體可為一液體，一氣體，或，部份地，一塑性固體。
    該第二過濾器可以由玻璃或鎢構成。該第二過濾器可以是一非篩網及一非燒結過濾器。
    該第二過濾器可包括多數蝕刻孔或準直毛細孔。該第一過濾器可以是一燒結過濾器。該第二過濾器可包括微加工孔。
    該第一過濾器可包括多數孔，且該等孔之尺寸係作成可阻擋至少某些該等非目標粒子。該第二過濾器可包括多數孔，且該等孔之尺寸係作成可阻擋至少某些該等非目標粒子。
    該第二過濾器可由與該第一過濾器之一材料不同之一材料構成。該第二過濾器可以由玻璃構成。
    該目標材料可以是純錫。在此情形下，該第一過濾器可以由一與錫非完全相容之材料構成，例如，該第一過濾器之材料可以輕易地被液體錫腐蝕或侵蝕。例如，該第一過濾器可由鈦，不鏽鋼，或一可成形、可燒結、可延展成足以在燒結後承受安裝之材料構成。在此情形下，該第二過濾器更可與錫相容。例如，該第二過濾器可以由玻璃、鎳、其他耐高溫金屬、石英、或一適當陶瓷材料(例如鋁、碳化矽、氮化矽、TiN等)。
    在其他一般態樣中，一種裝置包括：一容器，其收容一目標混合物，且該目標混合物包括一目標材料及多數非目標粒子；一第一過濾器，且該目標混合物通過該第一過濾器，並且該第一過濾器係由一第一材料構成；一第二過濾器，且該目標混合物通過該第二過濾器，並且該第二過濾器係由一與該第一材料不同之第二材料構成；一供應系統，其接收已通過該等第一與第二過濾器之該目標混合物且將該目標混合物供應至該目標位置；一輻射源，其將輻射供應至該目標位置以藉此撞擊該目標混合物；及一收集系統，其捕捉且導引由被該輻射撞擊之該目標混合物產生之超紫外線光。
    實施例可包括一或多個以下特徵。例如，該第二過濾器可接收已通過該第一過濾器之該目標混合物。
    該目標材料可包括錫且該第二材料可包括玻璃或鎢。
    該第二過濾器可包括一組具有均一尺寸之橫截面寬度的貫穿孔。
    在另一個一般態樣中，一種在一目標材料供應裝置中使用之過濾器包括多數貫穿孔，且該等貫穿孔係在一第一端與收容包括一目標材料及多數非目標粒子之一目標混合物的一容器流體地耦合，且在一第二端與一噴嘴之一口部流體地耦合。該過濾器之該等多數貫穿孔之各貫穿孔的一橫截面寬度係相對該等多數貫穿孔之各其他貫穿孔之橫截面寬度變化不大於20%且該等多數貫穿孔之各孔之橫截面寬度小於該孔之一高度。
    實施例可包括一或多個以下特徵。例如，該等貫穿孔可為圓柱形。該等多數貫穿孔之數目及橫截面寬度可被選擇成使得在該目標混合物填滿一在該過濾器與該噴嘴之間的體積且該目標混合物流過該噴嘴口部後，橫過該過濾器之一壓力降是可忽略的。該等孔之橫截面寬度的尺寸係作成可阻擋至少某些該等非目標粒子。
    該過濾器可由一與該目標材料相容之材料構成。如果該目標材料包括錫，則該過濾器可由鎢或玻璃或其他陶瓷構成。
    各孔可具有一圓形橫截面且該孔之橫截面寬度可以是其圓形橫截面之一直徑。
    該過濾器亦可包括多數開口，各開口係在該容器之第一端與一組孔之間使得該開口流體地耦合該容器之第一端與該組孔。各開口可具有一橫截面寬度；且在該組孔中之各孔可具有一小於與該孔流體地耦合之該開口之橫截面寬度的橫截面寬度。各開口可具有一圓形橫截面且該開口之橫截面寬度是其圓形橫截面之一直徑。該等孔之橫截面寬度的尺寸係作成可阻擋至少某些該等非目標粒子。
    在另一個一般態樣中，一種供一目標材料供應裝置使用之過濾器包括：多數貫穿孔，其在一第一端與收容包括一目標材料及多數非目標粒子之一目標混合物的一容器流體地耦合，且在一第二端與一噴嘴之一口部流體地耦合；及多數開口，各開口係在該容器之第一端與一組貫穿孔之間使得該開口流體地耦合該容器之第一端與該組貫穿孔。各開口具有一橫截面寬度，且在該組貫穿孔中之各貫穿孔可具有一小於與該貫穿孔流體地耦合之該開口之橫截面寬度的橫截面寬度。
    實施例可包括一或多個以下特徵。例如，該等貫穿孔可為圓柱形且沿該貫穿孔之一軸向長度具有一均一橫截面寬度。該等貫穿孔可形成為一毛細管陣列。
    該等多數開口可界定在面向該容器之一第一表面與該組貫穿孔之間。該等多數貫穿孔可界定在一面向該噴嘴之第二表面與該等多數開口之間。
    在其他一般態樣中，一種用以產生光之設備包括：一輻射源，其供應輻射至一目標位置；一供應系統，其將一目標混合物供應至該目標位置使得當在該目標混合物內之一目標材料被該供應之輻射照射時形成一電漿；及一過濾器，其組配成可在該目標混合物到達該目標位置之前由該目標混合物移除至少某些非目標粒子。該過濾器包括：多數貫穿孔，其在一第一端與收容包括該目標材料及多數非目標粒子之一目標混合物的一容器流體地耦合，且在一第二端與該供應系統流體地耦合；及多數開口，各開口係在該容器之第一端與一組貫穿孔之間使得該開口流體地耦合該容器之第一端與該組貫穿孔。
    實施例可包括一或多個以下特徵。例如，各開口可具有一橫截面寬度，且在該組貫穿孔中之各貫穿孔可具有一小於與該貫穿孔流體地耦合之該開口之橫截面寬度的橫截面寬度。
    在另一個一般態樣中，一種供一目標材料供應裝置使用之過濾器包括：一片材，其具有一第一平坦表面及一第二相對平坦表面，且該第一平坦表面係與一容器流體連通，且該容器收容一目標混合物，並且該目標混合物包括一目標材料及多數非目標粒子；及多數貫穿孔，其由該第二平坦表面延伸且在該第二平坦表面與一噴嘴之一口部流體地耦合。該片材具有一暴露於該目標混合物之表面積，且該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，並且該燒結過濾器具有一與該片材之橫向範圍相等之橫向範圍。
    實施例可包括一或多個以下特徵。例如，該暴露表面積係比一燒結過濾器的一暴露表面積至少小一萬倍，且該燒結過濾器具有一與該片材之橫向範圍相等之橫向範圍。該過濾器亦可包括多數由該第一平坦表面延伸之開口，且各開口係流體地耦合一組貫穿孔與該容器。
    在其他一般態樣中，一種過濾之方法包括將包括一目標材料及多數非目標粒子之一目標混合物收容在一容器中；使用一第一過濾器移除該目標混合物之至少某些非目標粒子；使用具有具有均一尺寸橫截面寬度之一組貫穿孔的一第二過濾器移除該目標混合物之至少某些非目標粒子；使用一供應系統控制通過該第二過濾器之該目標混合物之一流動；及將通過該第二過濾器之目標混合物導引至接收一放大光束之一目標位置以藉此將該目標混合物之該目標材料轉變成一電漿狀態。
    實施例可包括一或多個以下特徵。例如，使用該第二過濾器移除該目標混合物之至少某些非目標粒子可包括在已通過該第一過濾器後移除該目標混合物之至少某些非目標粒子。
    該方法亦可包括使用該第二過濾器移除藉該第一過濾器導入該目標混合物之該目標混合物的至少某些非目標粒子。
    該目標混合物流動可藉由使該目標混合物由該第二過濾器通過該供應系統之一口部來控制。 圖式簡單說明
    第1圖是一雷射引發電漿(LPP)超紫外線(EUV)光源之方塊圖；第2-4圖是第1圖之示範目標材料供應裝置之示意橫截面圖；第5圖是一示意橫截面圖，顯示在第2-4圖之目標材料供應裝置內之一示範過濾器設計；第6A圖是一示意橫截面圖，顯示可使用在第5圖之設計中之一示範過濾器；第6B圖是第6A圖之過濾器之一放大部份之示意橫截面圖，其顯示形成在其中之孔的細節；第7圖是用以形成第6A與6B圖中之過濾器之一塊狀物質之示意橫截面圖；第8A圖是第7圖之塊狀物質之俯視圖，顯示形成在其中之多數開口；第8B圖是沿第8A圖之塊狀物質之8B-8B所截取之橫截面圖；第9-12，13A，及14A圖係橫截面圖，顯示在由第7圖之片材形成第6A與6B圖之過濾器的程序中之各步驟；第13B圖是第13A圖之塊狀物質之一放大部份之示意橫截面圖；第14B圖是第14A圖之塊狀物質之一放大部份之示意橫截面圖；第15圖是示意橫截面圖，顯示在第2-4圖之目標材料供應裝置內之一示範過濾器設計；第16圖是用以形成第15圖中之過濾器之一塊狀物質之示意橫截面圖；第17圖是第15圖中之過濾器之示意橫截面圖；第18A圖是可使用在第2-4圖之目標材料供應裝置之一示範非篩網、非燒結過濾器之立體圖；及第18B圖是具有第18A圖之示範過濾器之相同橫向範圍之一示範燒結過濾器的立體圖。 說明
    請參閱第1圖，一雷射引發電漿超紫外線光源100係藉在一目標位置105以一放大光束110照射一目標混合物114形成，且該放大光束110係沿一光束路徑向該目標混合物114移動。亦被稱為照射位置之目標位置105係在一真空室130之一內部107。當該放大光束110撞擊該目標混合物114時，在該目標混合物114內之一目標材料被轉變成具有一元件之電漿狀態，且該元件在該超紫外線範圍內具有一放射線。產生之電漿具有依據在該目標混合物114內之目標材料之組成決定之某些特性。這些特性可包括由該電漿產生之該超紫外線光的波長及由該電漿釋放之碎屑種類及量。
    該光源100亦包括一目標材料傳送系統125，且該目標材料傳送系統125傳送、控制及導引呈多數液滴、一液流、多數固體粒子或團、多數包含在液滴內之固體粒子或多數包含在一液流內之固體粒子形態的目標混合物114。該目標混合物114包括該目標材料，例如，水、錫、鋰、氙、或當轉變成一電漿狀態時在該超紫外線範圍內具有一放射線之任何材料。例如，該元素錫可被使用為純錫(Sn)；一錫化合物，例如，SnBr4、SnBr2、SnH4；一錫合金，例如，錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金、或這些合金之任一組合。該目標混合物114亦可包括例如非目標粒子之雜質。因此，在沒有雜質之情形中，該目標混合物114只由該目標材料構成。該目標混合物114係藉該目標材料傳送系統125傳送至該真空室130之內部107中且到達該目標位置105。
    這說明係有關於使用一過濾器及一在該目標材料傳送系統125內過濾以移除在該目標混合物114內之雜質(例如非目標粒子)的方法。該光源100之組件的說明將在詳細說明該目標材料傳送系統125之前說明作為一背景。
    該光源100包括一驅動雷射系統115，且該驅動雷射系統115係由於在該雷射系統115之一或多數增益介質內之粒子數反轉而產生該放大光束110。該光源100包括一在該雷射系統115與該目標位置105之間的光束傳送系統，且該光束傳送系統包括一光束傳輸系統120及一聚光總成122。該光束傳輸系統120接收來自該雷射系統115之放大光束110，且依需要導引及修飾該放大光束110並且將該放大光束110輸出至該聚光總成122。該聚光總成122接收該放大光束110且將該光束110聚焦在該目標位置105上。
    在某些實施例中，該雷射系統115可包括一或多個光放大器、雷射、及/或燈以提供一或多個主脈衝及，在某些情況下，一或多個預脈衝。各光放大器包括一可以一高增益光學地放大所需波長之增益介質，一激化源，及多數內部光學元件。該光放大器可有或沒有多數雷射鏡或形成一雷射空腔之其他回饋設備。因此，即使沒有雷射空腔，該雷射系統115亦由於在該雷射放大器之增益介質中之粒子數反轉而產生一放大光束110。又，如果有一雷射空腔，該雷射系統115會產生為一同調雷射光束之一放大光束110以便對該雷射系統115提供足夠之回饋。該用語“放大光束”包含：只被放大但不必是一同調雷射振盪之來自該雷射系統115的光及被放大且亦是一同調雷射振盪之光中的一或多種光。
    在該雷射系統115中之光放大器可包括一填充氣體作為一增益介質，且該填充氣體包括CO2且可以大於或等於1000之增益在大約9100與大約11000nm之間，且特別地，在大約10600nm的一波長放大光。供該雷射系統115使用之適當放大器及雷射可包括一脈衝雷射設備，例如，以例如DC或RF激化，以例如等於或高於10Kw之相當高功率及例如等於或大於50kHz之高脈衝重覆率，在大約9300nm或大約10600nm產生輻射之一脈衝氣體放電CO2雷射設備。在該雷射系統115中之光放大器亦可包括一可在以較高功率操作該雷射系統115時使用之冷卻系統，例如水。
    該光源100包括一收集鏡135，且該收集鏡135具有一可容許該放大光束110通過且到達該目標位置105之孔140。該收集鏡135可為，例如，橢球面鏡，且該橢球面鏡在該目標位置105具有一主要焦點且在一中間位置145具有一次要焦點(亦被稱為一中間焦點)，其中該超紫外線光可由該光源100輸入且可輸入至，例如，一積體電路微影術工具(未顯示)。該光源100亦可包括一開口中空錐形外罩(例如，一氣錐)，且該開口中空錐形外罩係由該收集鏡135向該目標位置105漸縮以減少進入該聚光總成122及/或該光束傳輸系統120之電漿產生碎屑的量同時容許該放大光束110到達該目標位置105。為達此目的，可在該外罩中提供一可被導向該目標位置105之氣流。
    該光源100亦可包括一主控制器155，且該主控制器155係與一液滴位置偵測回饋系統156，一雷射控制系統157，及一光束控制系統158連接。該光源100可包括一或多個目標或液滴成像器160，該目標或液滴成像器160提供表示一液滴，例如，相對該目標位置105之位置的輸出且提供這輸出至該液滴位置偵測回饋系統156，這可計算一液滴位置及軌跡，且由此可逐滴地或平均地計算一液滴位置誤差。該液滴位置偵測回饋系統156因此提供該液滴位置誤差作為一輸入傳送至該主控制器155。該主控制器155可因此提供一雷射位置、方向、及時間修正信號，例如，至可被用來控制該雷射計時電路之雷射控制系統157及/或至該光束控制系統158以控制該光束傳輸系統120之一放大光束位置及形狀，以便改變在該室130內之光束焦點之位置及/或聚焦功率。
    該目標材料傳送系統125包括一目標材料傳送控制系統126，且該目標材料傳送控制系統126可依據來自該主控制器155之一信號操作，例如，以便在藉一目標材料供應裝置127釋放時修改該等液滴之釋放點，以修正該等液滴到達所需目標位置105之誤差。
    此外，該光源100可包括測量一或多個超紫外線光參數之光源偵測器165，且該一或多個超紫外線光參數包括但不限於脈衝能量，隨波長改變之能量分布，在一特定波長頻帶內之能量，在一特定波長頻帶外之能量，及超紫外線強度之角分布及/或平均功率。該光源偵測器165產生一供該主控制器155使用之回饋信號。該回饋信號可以，例如，顯示例如該等雷射脈衝之時間及焦點的誤差以便在正確之位置及時間適當地截取該等液滴以有效地及有效率地產生超紫外線光。
    該光源100亦可包括一引導雷射175，且該引導雷射175可被用來對準該光源100之各種區段或協助將該光源100轉向該目標位置105。就該引導雷射175而言，該光源100包括一計量系統124，且該計量系統124係放在該聚光總成122內以取樣來自該引導雷射175及該放大光束110之光的一部份。在其他實施例中，該計量系統124被放在該光束傳輸系統120內。該計量系統124可包括取樣或重新導引一次組之光的光學元件，且這光學元件係由可承受該引導雷射光及該放大光束110之功率的任何材料構成。由於該主控制器155分析來自該引導雷射175之經取樣光且使用這資訊透過該光束控制系統158調整在該聚光總成122內之組件，所以由該計量系統124及該主控制器155形成一光束分析系統。
    因此，總而言之，該光源100產生一沿該光束導引之放大光束110以便在該目標位置105照射該目標混合物114以將在該混合物114內之目標材料轉變成在該超紫外線範圍內發光之電漿。該放大光束110係以一依據該雷射系統115之設計及性質決定之特定波長(亦被稱為一源波長)操作。此外，該放大光束110可以是當該目標材料提供足以返回到該雷射系統115之回饋以產生同調雷射光時或如果該雷射系統115包括適當光回饋以形成一雷射空腔的一雷射光束。
    請參閱第2圖，在一示範實施例中，一目標材料供應裝置227包括兩室，即一第一室200(亦被稱為一塊狀材料室)及藉一管210與該第一室200流體地耦合之一第二室205(亦被稱為一容器)，且該管210可嵌合一閥以控制在該第一室200與該第二室205之間的材料流。該等第一與第二室200、205可以是具有獨立、主動壓力控制器202、207之氣密密封體積。該等第一與第二室200、205及該管210可以與控制該等第一與第二室200、205及該管210之溫度之一或多個加熱器熱耦合。此外，該裝置227亦可包括一或多個位準感測器215、220，且該等位準感測器215、220偵測在各個第一與第二室200、205內之物質的量。該等位準感測器215、220之輸出可被饋送至該控制系統126，且該控制系統126亦與該等壓力控制器202、207連接。
    操作時，一操作者以一塊狀物質225填充該第一室200，且使用與該第一室200熱耦合之加熱器加熱該塊狀物質225直到該塊狀物質225變成可為一液體、一氣體或一電漿之一流體為止。產生之流體可被稱為一目標混合物230，且該目標混合物230包括該目標材料加上多數其他非目標粒子。該等非目標粒子係在該目標混合物230中之雜質且藉在該裝置227中之一或多個過濾器(例如第一與第二過濾器235、240移除。該管210及該第二室205亦可被它們的各個加熱器加熱以維持該目標混合物230為一流體。
    該裝置227亦包括一在該第二過濾器240後之該第二室205之輸出處的供應系統245。該供應系統245接收已通過該等第一與第二過濾器235、240之目標混合物230且將呈液滴214狀之目標混合物供應至該目標位置105。為達此目的，該供應系統245可包括界定一口部255之一噴嘴250，且該目標混合物230係通過該口部255逸出以形成該目標混合物之液滴214。該等液滴214之輸出可藉例如一壓電致動器之一致動器控制。此外，該供應系統245可包括在該噴嘴250下游之其他調節或導引組件260。該噴嘴250及/或該等導引組件260將該等液滴214(係已被過濾以包括該目標材料及極少雜質之目標混合物230)導向該目標位置105。
    該控制系統126接收來自該等位準感測器215、220之輸出且控制該等加熱器以熔化一給定量之物質225。該控制系統126亦控制在各第一與第二室200、205中之壓力及在該管210中之閥的開啟與關閉。在此全部加入作為參考之美國專利第7,122,816號中可找到該等第一與第二室200、205之示範配置之一說明。
    如上所述，該裝置227包括第一與第二過濾器235、240，且該目標混合物230通過該等第一與第二過濾器235、240以由該目標混合物230移除例如該等非目標粒子之雜質。任選之第一過濾器235可以是一燒結過濾器或一篩網過濾器。如下更詳細所述地，該第二過濾器240可以是一至少包括在相對平坦表面之間形成之至少一組均一尺寸貫穿孔的非燒結、非篩網過濾器。該第二過濾器240具有一暴露於該目標混合物230之表面，如在第18A與18B說明時更詳細所述地，該第二過濾器240之暴露表面積可比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，且該燒結過濾器具有一與該片材之橫向範圍相等之橫向範圍。在某些實施例中，該第一過濾器235也是一亦包括在相對平坦表面之間形成之一組均一尺寸貫穿孔的非燒結、非篩網過濾器。
    該第一過濾器235可由一第一材料構成且該第二過濾器240可由一與該第一材料不同之第二材料構成。依此方式，如果該第一材料未適當地由該目標混合物230移除該等非目標粒子或如果目標材料使該第一材料由該第一過濾器濾出而進入該目標混合物230，則該第二材料可被選擇成與該第一材料不同以提供未由該第一材料適當提供之好處。因此，該第二材料可被選擇成由該目標混合物230移除濾出之第一材料或由該目標混合物230更適當地移除其他非目標粒子。例如，如果該第一過濾器是鈦，則該第二材料可以是鎢或玻璃。
    此外，該第二過濾器240之孔可具有與該第一過濾器235之孔之一橫截面寬度不同的一橫截面寬度。因此，在一實施例中，該第二過濾器240之孔具有小於該第一過濾器235之孔之橫截面寬度的一橫截面寬度。依此方式，該第二過濾器240之孔將被設計來移除在該目標混合物230中之較小非目標粒子。在其他實施例中，該第二過濾器240之孔具有等於或大於該第一過濾器235之孔之一橫截面寬度的一橫截面寬度。依此方式，該第二過濾器240之孔可被設計來移除由該第一過濾器235導入該目標混合物230之非目標粒子。
    在該目標材料係錫之實施例中，該第二過濾器240之該組均一尺寸貫穿孔之各孔可具有一小於10μm之橫截面寬度。在該第二過濾器240之該組貫穿孔之各貫穿孔之橫截面寬度可構形成相對在該第二過濾器240之該組貫穿孔之各其他孔之橫截面寬度變化不大於20%，依此方式，該第二過濾器240可說是具有一組“均一尺寸”孔。此外，該第二過濾器240之各孔之橫截面寬度係小於該口部255之橫截面寬度。
    一貫穿孔之寬度係沿在橫向平面中之一橫截面測量之一距離，且該橫向平面是垂直於一標示於第2圖中之一縱方向241的平面。該縱方向241係大致沿當該目標混合物230由該第二室205向該噴嘴250移動時該目標混合物230移動之方向延伸。
    請參閱第3圖，另一示範目標材料供應裝置327係類似於該裝置227設計成它包括第一室300及藉一管310與該第一室300流體地耦合之第二室305。該裝置327與該裝置227不同處在於該裝置327包括一放在該第一室300與該第二室305之間的第一過濾器335，而該裝置227之第一過濾器235則是在該第二室205與該供應系統245之間。
    請參閱第4圖，另一示範目標材料供應裝置427係類似於該裝置227設計成它包括第一室400及藉一管410與該第一室400流體地耦合之第二室405。該裝置427與該裝置227不同處在於該裝置427沒有一第一過濾器且只包括一放在該第二室405與該供應系統445之間的過濾器440。
    可為第2與3圖之第二過濾器240、340，或第4圖之過濾器440，或可為第2與3圖之過濾器235、240及335、340的一示範過濾器的說明係在以下參照第5-14B圖以及該過濾器如何被固定在該目標材料供應裝置內之一說明一起提供。首先請參閱第5圖，該過濾器540係配置成靠近該第二室505之一開口565。該過濾器540係安裝在該第二室505之一外面567與收容該供應系統545之一固持件571之一面569之間。該安裝係使得該過濾器540之邊緣573在面567、569氣密地密封，使得該目標混合物530流過在該過濾器540內之貫穿孔且未環繞該過濾器540之邊緣。該等邊緣573可使用例如，O環及/或金屬墊圈之任何適當密封系統575氣密地密封在該等面567、569之間。
    亦請參閱第6A與6B圖，該過濾器540係由呈固態之一塊片狀物質形成，且具有一面向該第二室(或容器505)之第一平坦表面677及一面向該噴嘴550之口部555之第二平坦表面679。該塊狀物質之材料被選擇成與欲過濾之目標混合物相容且該塊狀物質可為一金屬、金屬合金、或一非金屬。
    該過濾器540包括多數形成在該塊狀物質中且由該第二平坦表面679延伸之貫穿孔680。該等孔680可在一第一端681與收容該目標混合物530之該第二室(或容器)505流體地耦合，且在一第二端683(其係在第二平坦表面679)與該噴嘴550之口部555流體地耦合。在某些實施例中，所有孔680係貫穿孔使得該目標混合物可以完全通過該過濾器540之每一個孔680。
    該過濾器540之至少一組孔680係作成均一尺寸使得它們的橫截面寬度685不會互相相對變化大於一最大可接受值。因此，例如，一組貫穿孔680之各孔之橫截面寬度685可相對該組貫穿孔680之各其他孔之橫截面寬度685變化不大於20%。依此示範方式，該過濾器540具有與沒有多數均一尺寸孔之一燒結過濾器之設計不同的一設計。
    在該過濾器540中之貫穿孔680之數目及貫穿孔680之橫截面寬度685可以依據欲通過該過濾器540之特定目標材料，欲藉該過濾器540阻擋之非目標粒子，或橫過該過濾器540保持之必須壓力降來選擇。例如，貫穿孔680之數目及各貫穿孔680之橫截面寬度685可被選擇成使得在該目標混合物530填滿在該過濾器540與該噴嘴550之間的一體積547且該目標混合物530流過該噴嘴口部555後，橫過該過濾器540之壓力降是可忽略的。該等貫穿孔680之橫截面寬度685可依據欲阻擋之非目標粒子之尺寸選擇，使得該等寬度685小於欲阻擋之非目標粒子之尺寸。例如，該等橫截面寬度685可小於大約10μm。
    此外，該等孔680可形成“通道”使得各貫穿孔680具有由該第二平坦表面679延伸足以形成一通道之距離的一定義高度687。例如，在某些實施例中，一特定通道孔680之高度687可構形成大於或等於該貫穿孔680之橫截面寬度685。依此方式，該過濾器540具有與一篩網之設計不同之一設計，因為該過濾器540具有至少一表面677、679且因為該過濾器540之各孔680係形成為多數通道；且各通道具有一為該通道之橫截面寬度685之至少75%，該通道之橫截面寬度之至少100%，或大於該通道之橫截面寬度之100%的定義高度687。例如，如果該橫截面寬度685是1μm，則該高度687可大於1μm且在該高度687之一特定實施例中可以是10μm。
    在這實施例中，該過濾器540亦包括多數開口690，且各開口690延伸在面向該容器505之第一平坦表面677與該等貫穿孔680之一組貫穿孔690之間，使得該開口690流體地耦合該容器505與該等貫穿孔680之該組貫穿孔690。各開口具有一橫截面寬度693，且在該組貫穿孔690中之各貫穿孔具有一小於與貫穿孔680流體地耦合之該組貫穿孔690之橫截面寬度693的一橫截面寬度685。
    該等貫穿孔680可以是圓柱形，即，它們可具有一圓柱形或接近圓柱形之橫截面。該等貫穿孔680可沿該貫穿孔680之一軸689具有一橫截面寬度685(垂直於該縱方向241)。
    該等貫穿孔680可使用任何適當方法形成。在第7-14B圖中，顯示一示範方法，其中該等貫穿孔被蝕刻在一塊狀物質743中，且該等步驟係在以下詳述。
    請參閱第7圖，該方法係由具有一第一平坦表面777及一第二相對暫時平坦表面769之塊狀物質743開始。該塊狀物質743可使用任何標準加工或製造程序形成。該塊狀物質743可由不會與該目標材料不利地反應之任何適當材料構成。因此，如果該目標材料是錫，則該塊狀物質743可以是鎢。此外，在一實施例中，該塊狀物質743之寬度753可在大約2mm至大約10mm之間且該塊狀物質743之高度757可在該寬度753之大約10%至50%之間，並且對上述示範高度757而言會在大約0.2mm至大約5mm之間。該塊狀物質743之寬度753及高度757係依據欲形成之過濾器之應用，該噴嘴、該容器之構態，欲在該過濾器中形成之孔之最終尺寸，及橫過該過濾器之壓力差來選擇。
    請參閱第8A與8B圖，多數開口790形成在該塊狀物質743中，且該等開口790由該第一表面777延伸至該暫時第二表面769。該等開口可以形成為一開口之陣列或它們可以隨意地放置在整個塊狀物質743上。在某些實施例中，該等開口790係使用例如切削或鑽孔之標準加工程序形成。在該物質743為太硬而無法使用傳統技術加工且是可導電之一物質的其他實施例中，該等開口790可使用放電加工法(EDM)形成。在其他實施例中，該等開口790係使用微影法或蝕刻技術形成。
    形成之開口790的數目及各開口790之寬度793係至少部分地由該塊狀物質743之壓力極限及由過濾所需之孔數目決定。在該塊狀物質743是鎢之一實施例中，一開口790之寬度793的範圍可在大約20μm至大約500μm之間。
    接著請參閱第9圖，該等開口790係各填充一相對該塊狀物質743具有適當差別蝕刻之填料物質993。如果該塊狀物質743是鎢，則該填料物質993可以是任何可蝕刻聚合物或使用在微影應用中之其他物質。請參閱第10圖，該填料物質993被研磨成與該第二暫時表面769齊平。接著，如第11圖所示，一構成該塊狀物質743之材料的層1143係沈積在第二暫時表面769上。因此，舉例而言，如果該塊狀物質743係由鎢構成，則該層1143係由鎢構成。在該塊狀物質743具有一大約1mm之高度757及一大約5mm之寬度753之例子中，該層1143之厚度可在大約5μm與大約15μm之間。
    接著，如第12圖所示，該填料物質993係藉，例如，蝕刻移除以形成該等開口690。然後，如第13A與13B圖所示，一光阻1395施加在該層1143上且該光阻1395係圖案化成具有多數孔1397。請參閱第14A與14B圖，該塊狀物質743被蝕刻以將該等光阻圖案孔1397轉移至該塊狀物質743中以形成該等貫穿孔680。在該等貫穿孔680形成後，接著移除該光阻1395以形成該完成之過濾器，如第6A與6B圖所示。
    請參閱第15圖，在另一實施例中，一過濾器1540可形成一毛細管陣列。該過濾器1540係配置成靠近該第二室505之一開口1565且安裝在該第二室505之一外面1567與一收容該供應系統545之固持件1571之一面1569之間。該安裝係組配成使得該過濾器1540之邊緣1573在面1567、1569氣密地密封，使得該目標混合物530流過在該過濾器1540內之貫穿孔且未環繞該過濾器1540之邊緣。該等邊緣1573可使用例如，O環及/或金屬墊圈之任何適當密封系統1575氣密地密封在該等面1567、1569之間。
    亦請參閱第16與17圖，該過濾器1540係由一呈固態之片狀物質1640形成，且具有一面向該第二室(或容器505)之第一平坦表面1677及一面向該噴嘴550之口部555之第二平坦表面1679。該塊狀物質1643之材料被選擇成可承受高壓力差。在某些實施例中，該塊狀物質1643係由鈦構成。該塊狀物質1643具有一錐形通道1669，且該錐形通道1669具有一配合一準直孔結構1680之幾何形狀，並且該準直孔結構1680係由可與欲過濾之目標混合物530相容之任何材料構成。在某些實施例中，該結構1680係由一如玻璃之非金屬構成。
    該準直孔結構1680包括一包覆層1693及一嵌合在該錐形通道1669內之內區域1697，且該等貫穿孔係形成在該內區域1697中。在該區域1697中之貫穿孔可具有一與該過濾器540之各貫穿孔680之橫截面寬度685相近之橫截面寬度。例如，就例如錫之一目標材料而言，在該內區域1697中之各貫穿孔之橫截面寬度可在大約0.5μm至大約2.0μm之間。此外，在該內區域1697中之各貫穿孔的高度可在大約1-10mm之間。該區域1697可包括至少10,000個貫穿孔。
    形成在該區域1697中之貫穿孔延伸在該第二平坦表面1679與該第一平坦表面1677之間，且它們在一第一端1681與收容該目標混合物530之該第二室(或容器)505流體地耦合，並且在一第二端1683與該噴嘴550之口部555流體地耦合。
    該過濾器1540之至少一組孔可作成均一尺寸使得它們的橫截面寬度不會互相相對變化大於一最大可接受值。因此，例如，一組貫穿孔之各孔之橫截面寬度可相對該組貫穿孔之各其他孔之橫截面寬度變化不大於20%。依此方式，該過濾器1540具有與沒有一組均一尺寸孔之一燒結過濾器之設計不同的一設計。
    此外，在該過濾器1540中之貫穿孔之數目及貫穿孔之橫截面寬度可以依據欲通過該過濾器1540之特定目標材料，欲藉該過濾器1540阻擋之非目標粒子，或橫過該過濾器1540保持之必須壓力降來選擇。例如，該等貫穿孔之數目及該等貫穿孔之橫截面寬度可被選擇成使得在該目標混合物530填滿在該過濾器1540與該噴嘴550之間的一體積1547且該目標混合物530流過該噴嘴口部555後，橫過該過濾器540之壓力降是可忽略的。該等貫穿孔之橫截面寬度可依據欲阻擋之非目標粒子之尺寸選擇，使得該等寬度小於欲阻擋之非目標粒子之尺寸。
    此外，如以上對於該過濾器540所述，該過濾器1540之貫穿孔可形成“通道”使得各通道孔具有由該第二端1683延伸足以形成一通道之距離的一定義高度。例如，一特定通道孔之高度可構形成大於或等於該通道孔之橫截面寬度。依此方式，該過濾器1540具有與一篩網之設計不同之一設計，因為該過濾器1540具有至少一平坦表面1677、1679且因為該過濾器1540之各孔係形成為多數通道；且各通道具有一為該通道之橫截面寬度之至少75%，該通道之橫截面寬度之至少100%，或大於該通道之橫截面寬度之100%的定義高度。
    該過濾器1540之貫穿孔可以是圓柱形，即，它們可具有一圓柱形或接近圓柱形之橫截面。此外，該等貫穿孔可沿該貫穿孔之一軸1689具有一均一橫截面寬度。
    在該區域1697中之貫穿孔係使用一玻璃拉製程序，一蝕刻程序，或使用如加拿大Campbell之Collimated Holes公司所列舉之拉管結構(http：//www.collimatedholes.com/products.html)形成。
    請參閱第18A與18B圖，顯示與一燒結過濾器1898相鄰之一過濾器1840，且該燒結過濾器1898具有一與該過濾器184之橫向範圍TE相等之橫向範圍TE。該過濾器1840是上述過濾器之一通用表示，且在第18A圖中它未依比例繪製，而是只為以下說明提供前後關係。該橫向範圍TE是該過濾器1840或該燒結過濾器1898之一尺寸，且沿一與由該目標混合物通過該過濾器1840之流動所界定之縱方向241橫交之方向延伸。該過濾器1840具有沿與該縱方向241橫交之一平面之一表面1877且該燒結過濾器1898具有沿與該縱方向241橫交之一平面之一表面1899。該表面1877是靠近移除撞擊該過濾器1840之該目標混合物之至少某些非目標粒子之貫穿孔的表面；因此，該目標混合物接觸該表面1877。
    當在該目標材料供應裝置中使用時，該過濾器1840具有一暴露於該目標混合物之表面積且這表面積被稱為該過濾器1840之暴露表面積；且該燒結過濾器1898具有一暴露於該目標混合物之表面積且這表面積被稱為該過濾器1898之暴露表面積。在該過濾器1840及該燒結過濾器1898具有相同橫向範圍之情形下，該過濾器1840之暴露表面積明顯小於該燒結過濾器1898之一暴露表面積。因此，例如，如果該過濾器1840及該燒結過濾器1898具有相同橫向範圍，則該過濾器1840之暴露表面積小於該燒結過濾器1898之暴露表面積之百分之一；該過濾器1840之暴露表面積小於該燒結過濾器1898之暴露表面積之萬分之一；或該過濾器1840之暴露表面積小於該燒結過濾器1898之暴露表面積之百萬分之一。
    由於暴露表面積之明顯減少，該過濾器1840比相同橫向範圍之燒結過濾器1898更不會堵塞且更容易傳送通過該目標材料同時阻擋該等非目標粒子。
    其他實施例係在以下申請專利範圍之範疇內。
    例如，該目標材料供應裝置127可只有一室或兩個以上之室。依情形而定，該等過濾器可放在該裝置127之任一室之後，只要具有該等均一尺寸貫穿孔及/或較小表面積之過濾器放在該目標混合物之一容器及該噴嘴。
    例如，該過濾器240、340、440可藉微加工一通道孔陣列形成一篩，藉組裝與該目標材料相容之一束纖維材料(例如陶瓷)，藉將一過濾器介質(例如石英)放在熔接在一噴嘴上之一較大石英段中，或以具有一原位玻料過濾器之石英管(例如，層析毛細管)。
    100‧‧‧光源
    126‧‧‧控制系統
    105‧‧‧目標位置
    127‧‧‧目標材料供應裝置
    107‧‧‧內部
    130‧‧‧真空室
    110‧‧‧放大光束
    135‧‧‧收集鏡
    114‧‧‧目標混合物
    140‧‧‧孔
    115‧‧‧雷射系統
    145‧‧‧中間位置
    120‧‧‧光束傳輸系統
    155‧‧‧主控制器
    122‧‧‧聚光總成
    156‧‧‧液滴位置偵測回饋系統
    124‧‧‧計量系統
    157‧‧‧雷射控制系統
    125‧‧‧目標材料傳送系統
    158‧‧‧光束控制系統
    160‧‧‧目標或液滴成像器
    400‧‧‧第一室
    165‧‧‧光源偵測器
    405‧‧‧第二室
    175‧‧‧引導雷射
    410‧‧‧管
    200‧‧‧第一室
    427‧‧‧目標材料供應裝置
    205‧‧‧第二室
    440‧‧‧過濾器
    202,207‧‧‧壓力控制器
    445‧‧‧供應系統
    210‧‧‧管
    505‧‧‧第二室(或容器)
    214‧‧‧液滴
    530‧‧‧目標混合物
    215,220‧‧‧位準感測器
    540‧‧‧過濾器
    225‧‧‧塊狀物質
    545‧‧‧供應系統
    227‧‧‧目標材料供應裝置
    547‧‧‧體積
    230‧‧‧目標混合物
    550‧‧‧噴嘴
    235‧‧‧第一過濾器
    555‧‧‧口部
    240‧‧‧第二過濾器
    565‧‧‧開口
    241‧‧‧縱方向
    567‧‧‧外面
    245‧‧‧供應系統
    569‧‧‧面
    250‧‧‧噴嘴
    571‧‧‧固持件
    255‧‧‧口部
    573‧‧‧邊緣
    260‧‧‧導引組件
    575‧‧‧密封系統
    300‧‧‧第一室
    677‧‧‧第一平坦表面
    305‧‧‧第二室
    679‧‧‧第二平坦表面
    310‧‧‧管
    680‧‧‧貫穿孔
    327‧‧‧目標材料供應裝置
    681‧‧‧第一端
    335‧‧‧第一過濾器
    683‧‧‧第二端
    685‧‧‧橫截面寬度
    1565‧‧‧開口
    687‧‧‧高度
    1567‧‧‧外面
    689‧‧‧軸
    1569‧‧‧面
    690‧‧‧開口
    1571‧‧‧固持件
    691‧‧‧貫穿孔組
    1573‧‧‧邊緣
    693‧‧‧橫截面寬度
    1575‧‧‧密封系統
    743‧‧‧塊狀物質
    1643‧‧‧塊狀物質
    753‧‧‧寬度
    1669‧‧‧錐形通道
    757‧‧‧高度
    1677‧‧‧第一平坦表面
    769‧‧‧第二暫時表面
    1679‧‧‧第二平坦表面
    777‧‧‧第一平坦表面
    1680‧‧‧準直孔結構
    790‧‧‧開口
    1683‧‧‧第二端
    793‧‧‧寬度
    1689‧‧‧軸
    993‧‧‧填料物質
    1693‧‧‧包覆層
    1143‧‧‧層
    1697‧‧‧內區域
    1157‧‧‧厚度
    1840‧‧‧過濾器
    1395‧‧‧光阻
    1877‧‧‧表面
    1397‧‧‧孔
    1898‧‧‧燒結過濾器
    1540‧‧‧過濾器
    1899‧‧‧表面
    1547‧‧‧體積
    TE‧‧‧橫向範圍
    第1圖是一雷射引發電漿(LPP)超紫外線(EUV)光源之方塊圖；第2-4圖是第1圖之示範目標材料供應裝置之示意橫截面圖；第5圖是一示意橫截面圖，顯示在第2-4圖之目標材料供應裝置內之一示範過濾器設計；第6A圖是一示意橫截面圖，顯示可使用在第5圖之設計中之一示範過濾器；第6B圖是第6A圖之過濾器之一放大部份之示意橫截面圖，其顯示形成在其中之孔的細節；第7圖是用以形成第6A與6B圖中之過濾器之一塊狀物質之示意橫截面圖；第8A圖是第7圖之塊狀物質之俯視圖，顯示形成在其中之多數開口；第8B圖是沿第8A圖之塊狀物質之8B-8B所截取之橫截面圖；第9-12，13A，及14A圖係橫截面圖，顯示在由第7圖之片材形成第6A與6B圖之過濾器的程序中之各步驟；第13B圖是第13A圖之塊狀物質之一放大部份之示意橫截面圖；第14B圖是第14A圖之塊狀物質之一放大部份之示意橫截面圖；第15圖是示意橫截面圖，顯示在第2-4圖之目標材料供應裝置內之一示範過濾器設計；第16圖是用以形成第15圖中之過濾器之一塊狀物質之示意橫截面圖；第17圖是第15圖中之過濾器之示意橫截面圖；第18A圖是可使用在第2-4圖之目標材料供應裝置之一示範非篩網、非燒結過濾器之立體圖；及第18B圖是具有第18A圖之示範過濾器之相同橫向範圍之一示範燒結過濾器的立體圖。
    200‧‧‧第一室
    230‧‧‧目標混合物
    205‧‧‧第二室
    235‧‧‧第一過濾器
    202,207‧‧‧壓力控制器
    240‧‧‧第二過濾器
    210‧‧‧管
    241‧‧‧縱方向
    214‧‧‧液滴
    245‧‧‧供應系統
    215,220‧‧‧位準感測器
    250‧‧‧噴嘴
    225‧‧‧塊狀物質
    255‧‧‧口部
    227‧‧‧目標材料供應裝置
    260‧‧‧導引組件
    权利要求:
    Claims (30)
    [1] 一種用以將一目標材料至一目標位置之裝置，該裝置包含：一容器，其收容一目標混合物，且該目標混合物包括該目標材料及多數非目標粒子；一第一過濾器，且該目標混合物通過該第一過濾器；一第二過濾器，且該目標混合物通過該第二過濾器；及一供應系統，其接收已通過該等第一與第二過濾器之該目標混合物且將該目標混合物供應至該目標位置；其中該第二過濾器包括一組貫穿孔且具有一暴露於該目標混合物之表面積，該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，且該燒結過濾器具有一與該第二過濾器之橫向範圍相等之橫向範圍。
    [2] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二過濾器接收已通過該第一過濾器之該目標混合物。
    [3] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該組貫穿孔具有均一尺寸之橫截面寬度。
    [4] 如申請專利範圍第3項之裝置，其中該第二過濾器包括具有一橫向尺寸之另一組均一尺寸貫穿孔，且該另一組均一尺寸貫穿孔之橫向尺寸與該組均一尺寸貫穿孔之一橫向尺寸不同。
    [5] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一過濾器包括一組貫穿孔且具有一暴露於該目標混合物之表面積，該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，且該燒結過濾器具有一與該第二過濾器之橫向範圍相等之橫向範圍。
    [6] 如申請專利範圍第5項之裝置，其中該第一過濾器組之貫穿孔之橫截面寬度係與該第二過濾器組之貫穿孔之橫截面寬度不同。
    [7] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二過濾器沿一縱方向具有一厚度，且該厚度係大到足以承受橫過該第二過濾器之壓力差。
    [8] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中在該第二過濾器之該組貫穿孔中之各孔具有一小於10μm之橫截面寬度。
    [9] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中在該第二過濾器之該組貫穿孔中之各孔的橫截面寬度係小於該供應系統之一噴嘴之一口部的一橫截面寬度。
    [10] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該等第一與第二過濾器之至少一過濾器係至少部份地由鎢，鈦，鉬，鎳，鉭，或其他金屬，石英，玻璃，或陶瓷材料構成。
    [11] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中在該第二過濾器中之該組貫穿孔的尺寸係作成可阻擋至少某些該等非目標粒子。
    [12] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該目標材料係呈一流體狀態。
    [13] 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二過濾器是一非燒結及非篩網過濾器。
    [14] 一種裝置，包含：一容器，其收容一目標混合物，且該目標混合物包括一目標材料及多數非目標粒子；一第一過濾器，且該目標混合物通過該第一過濾器，並且該第一過濾器係由一第一材料構成；一第二過濾器，且該目標混合物通過該第二過濾器，並且該第二過濾器係由一與該第一材料不同之第二材料構成；一供應系統，其接收已通過該等第一與第二過濾器之該目標混合物且將該目標混合物供應至該目標位置；一輻射源，其將輻射供應至該目標位置以藉此撞擊該目標混合物；及一收集系統，其捕捉且導引被該輻射撞擊由該目標混合物產生之超紫外線光。
    [15] 如申請專利範圍第14項之裝置，其中該第二過濾器接收已通過該第一過濾器之該目標混合物。
    [16] 如申請專利範圍第14項之裝置，其中該第一過濾器組之貫穿孔之橫截面寬度係與該第二過濾器組之貫穿孔之橫截面寬度不同。
    [17] 一種裝置，包含：一過濾器，包含：多數貫穿孔，其係在一第一端與一容器流體地耦合，該容器收容包括一目標材料及多數非目標粒子之一目標混合物，且該等多數貫穿孔係在一第二端與一噴嘴之一口部流體地耦合；及多數開口，各開口係在該容器之第一端與一群貫穿孔之間使得該開口流體地耦合該容器之第一端與該群貫穿孔；其中各開口可具有一橫截面寬度，且在該群貫穿孔中之各貫穿孔具有一小於與該貫穿孔流體地耦合之該開口之橫截面寬度的橫截面寬度，並且該等孔之尺寸係作成可由該目標混合物移除至少某些該等非目標粒子。
    [18] 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該等貫穿孔沿該貫穿孔之一軸向長度具有一均一橫截面寬度。
    [19] 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該等貫穿孔係一毛細管陣列。
    [20] 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該等多數開口係界定在一第一表面與該組貫穿孔之間，該一表面係面向該容器。
    [21] 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該等多數貫穿孔係界定在一第二表面與該等多數開口之間，該第二表面係面向該噴嘴。
    [22] 如申請專利範圍第17項之裝置，更包含：一輻射源，其供應輻射至一目標位置；及一供應系統，其將該目標混合物供應至該目標位置使得當在該目標混合物內之一目標材料被該供應之輻射照射時形成一電漿。
    [23] 一種供一目標材料供應裝置使用之過濾器，該過濾器包含：一片材，其具有一第一平坦表面及一第二相對平坦表面，且該第一平坦表面係與一容器流體連通，且該容器收容一，包括一目標材料及多數非目標粒子之目標混合物；及多數貫穿孔，其由該第二平坦表面延伸且在該第二平坦表面與一噴嘴之一口部流體地耦合；其中該片材具有一暴露於該目標混合物之表面積，且該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，並且該燒結過濾器具有一與該片材之橫向範圍相等之橫向範圍。
    [24] 如申請專利範圍第23項之過濾器，其中該暴露表面積係比一燒結過濾器的一暴露表面積至少小一萬倍，且該燒結過濾器具有一與該片材之橫向範圍相等之橫向範圍。
    [25] 如申請專利範圍第23項之過濾器，更包含多數由該第一平坦表面延伸之開口，且各開口係流體地耦合一群貫穿孔與該容器。
    [26] 如申請專利範圍第23項之過濾器，其中該等多數貫穿孔之各貫穿孔的一橫截面寬度係相對該等多數貫穿孔之各其他貫穿孔之橫截面寬度變化不大於20%且該等多數貫穿孔之各孔之橫截面寬度小於該孔之一高度。
    [27] 如申請專利範圍第26項之過濾器，其中該等多數孔之數目及橫截面寬度係選擇成使得在該目標混合物填滿一在該過濾器與該噴嘴之間的體積且該目標混合物流過該噴嘴口部後，橫過該過濾器之一壓力降是可忽略的。
    [28] 一種過濾之方法，該方法包含：將包括一目標材料及多數非目標粒子之一目標混合物收容在一容器中；使用一第一過濾器移除該目標混合物之至少某些非目標粒子；使用一第二過濾器，藉將該第二過濾器之一表面積暴露於該目標混合物移除該目標混合物之至少某些非目標粒子，該暴露表面積係比一燒結過濾器之一暴露表面積至少小一百倍，且該燒結過濾器具有一與該第二過濾器之橫向範圍相等之橫向範圍；使用一供應系統控制通過該第二過濾器之該目標混合物之一流動；及將通過該第二過濾器之目標混合物導引至接收一放大光束之一目標位置以藉此將該目標混合物之該目標材料轉變成一電漿狀態。
    [29] 如申請專利範圍第28項之方法，其中使用該第二過濾器移除該目標混合物之至少某些非目標粒子，包含在通過該第一過濾器後所餘留的目標混合物之至少某些非目標粒子。
    [30] 如申請專利範圍第28項之方法，更包含使用該第二過濾器來移除藉該第一過濾器導入該目標混合物之該目標混合物的至少某些非目標粒子。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    US13/112,784|US9029813B2|2011-05-20|2011-05-20|Filter for material supply apparatus of an extreme ultraviolet light source|
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